
SPP20N65C3XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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3+ | 7.23 EUR |
50+ | 3.83 EUR |
100+ | 3.61 EUR |
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Technische Details SPP20N65C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPP20N65C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SPP20N65C3XKSA1 nach Preis ab 3.12 EUR bis 9.61 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SPP20N65C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 452 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP20N65C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP20N65C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP20N65C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP20N65C3XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP20N65C3XKSA1 | Hersteller : Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPP20N65C3XKSA1 Produktcode: 144577
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