SPP20N65C3XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details SPP20N65C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPP20N65C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SPP20N65C3XKSA1 nach Preis ab 4.66 EUR bis 9.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SPP20N65C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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SPP20N65C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP20N65C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO220-3 |
auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP20N65C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP20N65C3XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SPP20N65C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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| SPP20N65C3XKSA1 | Hersteller : Infineon |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB SPP20N65C3HKSA1 SPP20N65C3XKSA1 TSPP20n65c3 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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SPP20N65C3XKSA1 Produktcode: 144577 |
Verschiedene Bauteile > Other components 3 |
Produkt ist nicht verfügbar
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SPP20N65C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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