SPP80P06PHXKSA1
Produktcode: 172970
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SPP80P06PHXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2749 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP80P06PHXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -80A Power dissipation: 340W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP80P06PHXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1309 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP80P06PHXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -60V -80A TO220-3 |
auf Bestellung 2516 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP80P06PHXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SPP80P06PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1413 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPP80P06PHXKSA1 | Hersteller : Infineon |
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 SPP80P06PHXKSA1 TSPP80p06ph Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPP80P06PHXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SPP80P06PHXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |