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SPP80P06PHXKSA1

SPP80P06PHXKSA1 Infineon Technologies

spp80p06ph_rev1.5.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
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Technische Details SPP80P06PHXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPP80P06PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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SPP80P06PHXKSA1 SPP80P06PHXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies spp80p06ph_rev1.5.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
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SPP80P06PHXKSA1 SPP80P06PHXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92E343ED03F1CC&compId=SPP80P06PHXKSA1-DTE.pdf?ci_sign=0fdc7be718405dc45ca2e85200515e93fcb1a285 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3
Kind of channel: enhancement
Case: PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -80A
On-state resistance: 23mΩ
Power dissipation: 340W
Gate-source voltage: ±20V
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Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3
Kind of channel: enhancement
Case: PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
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SPP80P06PHXKSA1 SPP80P06PHXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_SPP80P06PH_DS_v01_05_en-1227735.pdf MOSFETs P-Ch -60V -80A TO220-3
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SPP80P06PHXKSA1 SPP80P06PHXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies SPP80P06P+H_Rev1.5.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115d6a107c41454&fileId=db3a304325afd6e001264bbdf4a70ca7 Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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SPP80P06PHXKSA1 SPP80P06PHXKSA1 Hersteller : INFINEON INFNS15663-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPP80P06PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SPP80P06PHXKSA1 Hersteller : Infineon SPP80P06P+H_Rev1.5.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115d6a107c41454&fileId=db3a304325afd6e001264bbdf4a70ca7 Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 SPP80P06PHXKSA1 TSPP80p06ph
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SPP80P06PHXKSA1
Produktcode: 172970
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