SPW11N80C3 Infineon Technologies
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Technische Details SPW11N80C3 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 7.1A, Power dissipation: 156W, Case: PG-TO247-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.45Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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SPW11N80C3 Produktcode: 132782
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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SPW11N80C3 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.1A Power dissipation: 156W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SPW11N80C3 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; 156W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.1A Power dissipation: 156W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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