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SPW11N80C3FKSA1

SPW11N80C3FKSA1 Infineon Technologies

infineonspw11n80c3dsv0291en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details SPW11N80C3FKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPW11N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 156W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SPW11N80C3FKSA1 SPW11N80C3FKSA1 Infineon Technologies infineonspw11n80c3dsv0291en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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226+2.89 EUR
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auf Bestellung 2825 Stücke:
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61+2.77 EUR
120+2.25 EUR
510+2.11 EUR
1020+1.95 EUR
2010+1.84 EUR
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58+3.03 EUR
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120+2.33 EUR
510+2.23 EUR
1020+2.11 EUR
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auf Bestellung 238 Stücke:
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50+4 EUR
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SPW11N80C3FKSA1 SPW11N80C3FKSA1 Infineon Technologies SPW11N80C3_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42bf6e0463d Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
auf Bestellung 1788 Stücke:
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3+7.6 EUR
30+4.18 EUR
120+3.42 EUR
510+2.87 EUR
1020+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SPW11N80C3FKSA1 SPW11N80C3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPW11N80C3_DS_v02_91_en.pdf MOSFETs N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.35 EUR
10+4.66 EUR
100+3.69 EUR
480+3.28 EUR
1200+2.83 EUR
2640+2.76 EUR
5040+2.62 EUR
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SPW11N80C3FKSA1 SPW11N80C3FKSA1 INFINEON INFNS16625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPW11N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
auf Bestellung 475 Stücke:
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120+2.25 EUR
510+2.11 EUR
1020+1.95 EUR
2010+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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61+2.83 EUR
120+2.33 EUR
510+2.23 EUR
1020+2.11 EUR
2010+2.05 EUR
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SPW11N80C3FKSA1 SPW11N80C3_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42bf6e0463d
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Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Packaging: Tube
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
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100+3.69 EUR
480+3.28 EUR
1200+2.83 EUR
2640+2.76 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPW11N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
auf Bestellung 475 Stücke:
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30+8.59 EUR
50+4.64 EUR
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