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SPW11N80C3FKSA1

SPW11N80C3FKSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details SPW11N80C3FKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPW11N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 156W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SPW11N80C3FKSA1 SPW11N80C3FKSA1 Infineon Technologies infineonspw11n80c3dsv0291en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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SPW11N80C3FKSA1 SPW11N80C3FKSA1 Infineon Technologies infineon_spw11n80c3_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
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SPW11N80C3FKSA1 SPW11N80C3FKSA1 Infineon Technologies infineon-spw11n80c3-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
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SPW11N80C3FKSA1 SPW11N80C3FKSA1 INFINEON INFNS16625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPW11N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
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Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
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120+3.65 EUR
510+3.06 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPW11N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
auf Bestellung 74 Stücke:
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