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SPW20N60C3

SPW20N60C3 Infineon

Infineon-SPW20N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42e3702497f
Produktcode: 30183
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Hersteller: Infineon
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 0.19
JHGF: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
SPW20N60C3 SPW20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW20N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.25 EUR
25+2.92 EUR
28+2.59 EUR
30+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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SPW20N60C3 SPW20N60C3 Infineon Technologies Infineon_SPW20N60C3_DS_v02_05_en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 1137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.52 EUR
10+6 EUR
100+4.47 EUR
480+3.73 EUR
1200+3.47 EUR
2640+3.29 EUR
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SPW20N60C3 SPW20N60C3.pdf
SPW20N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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AnzahlPreis
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SPW20N60C3
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3
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