SPW20N60C3 Infineon
Produktcode: 30183
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Infineon
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 0.19
JHGF: THT
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Weitere Produktangebote SPW20N60C3 nach Preis ab 2.4 EUR bis 8.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SPW20N60C3 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.1A Power dissipation: 208W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPW20N60C3 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3 |
auf Bestellung 1157 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPW20N60C3 | Hersteller : Infineon |
Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 13,1А, 208Вт, PG-TO247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SPW20N60C3 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SPW20N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |