SPW20N60CFDFKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis |
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| 121+ | 3.84 EUR |
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Technische Details SPW20N60CFDFKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPW20N60CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.3 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SPW20N60CFDFKSA1 nach Preis ab 4.32 EUR bis 4.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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SPW20N60CFDFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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SPW20N60CFDFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 152 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPW20N60CFDFKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SPW20N60CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.3 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPW20N60CFDFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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SPW20N60CFDFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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SPW20N60CFDFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
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SPW20N60CFDFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_LEGACY |
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