SPW20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 8.74 EUR |
| 12+ | 6.02 EUR |
| 13+ | 5.69 EUR |
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Technische Details SPW20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 13A, Power dissipation: 208W, Case: PG-TO247-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.19Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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SPW20N60S5 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 208W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPW20N60S5 Produktcode: 71990
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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SPW20N60S5 | Hersteller : Infineon Technologies |
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