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SPW20N60S5

SPW20N60S5 Infineon Technologies

Infineon_SPW20N60S5_DS_v02_05_en-3360351.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 600V 20A TO247-3 CoolMOS S5
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Technische Details SPW20N60S5 Infineon Technologies

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 13A, Power dissipation: 208W, Case: PG-TO247-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.19Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SPW20N60S5 SPW20N60S5 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES SPW20N60S5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SPW20N60S5 SPW20N60S5 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES SPW20N60S5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
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SPW20N60S5
Produktcode: 71990 		Transistoren > MOSFET N-CH
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