SPW32N50C3FKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details SPW32N50C3FKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPW32N50C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 32 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 560V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 284W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SPW32N50C3FKSA1 nach Preis ab 5.03 EUR bis 13.27 EUR
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SPW32N50C3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 560V 32A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 284W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.8mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V |
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SPW32N50C3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 560V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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SPW32N50C3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 560V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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SPW32N50C3FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SPW32N50C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 32 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 560V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 284W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| SPW32N50C3FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 560V; 32A; 284W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MOSFET Drain-source voltage: 560V Drain current: 32A Power dissipation: 284W Case: TO247-3 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of channel: enhancement |
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SPW32N50C3FKSA1 Produktcode: 131640
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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SPW32N50C3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 560V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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SPW32N50C3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 560V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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SPW32N50C3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_LEGACY |
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