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SPW35N60CFD Infineon Technologies

Name: SPW35N60CFD
Brand: Infineon Technologies
SKU: 144282-4
Price: 17.46 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 34.1A TO247-3 CoolMOS CFD

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Technische Details SPW35N60CFD Infineon Technologies

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 600V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: tube, Case: PG-TO247-3, On-state resistance: 0.118Ω, Power dissipation: 313W, Polarisation: unipolar, Technology: CoolMOS™, Drain current: 21.6A.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	SPW35N60CFD	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO247-3 On-state resistance: 0.118Ω Power dissipation: 313W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Drain current: 21.6A	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPW35N60CFD

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO247-3
On-state resistance: 0.118Ω
Power dissipation: 313W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 21.6A

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