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SPW55N80C3FKSA1

SPW55N80C3FKSA1 Infineon Technologies

spw55n80c3_2_0.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details SPW55N80C3FKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPW55N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 54.9 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 850V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies spw55n80c3_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_SPW55N80C3_DS_v02_00_en-1732258.pdf MOSFETs N-Ch 850V 54.9A TO247-3
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SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-SPW55N80C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043337a914d0133878821c910bb Description: MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7520 pF @ 100 V
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SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies spw55n80c3_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3FKSA1 Hersteller : INFINEON 1849675.pdf Description: INFINEON - SPW55N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 54.9 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 850V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 744 Stücke:
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SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies spw55n80c3_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies spw55n80c3_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 850V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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SPW55N80C3FKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPW55N80C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043337a914d0133878821c910bb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 34.7A; Idm: 150A; 500W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 34.7A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 500W
Case: PG-TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 34.7A; Idm: 150A; 500W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 34.7A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 500W
Case: PG-TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
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Kind of package: tube
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