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SPW55N80C3FKSA1

SPW55N80C3FKSA1 Infineon Technologies

spw55n80c3_2_0.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details SPW55N80C3FKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPW55N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 54.9 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 850V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3FKSA1 Infineon Technologies spw55n80c3_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPW55N80C3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043337a914d0133878821c910bb Description: MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7520 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3.3mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
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30+15.95 EUR
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SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPW55N80C3_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 850V 54.9A TO247-3
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SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3FKSA1 INFINEON 1849675.pdf Description: INFINEON - SPW55N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 54.9 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 850V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5011 Stücke:
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8+32.21 EUR
10+23.37 EUR
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SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3FKSA1 Infineon Technologies spw55n80c3_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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6+33.26 EUR
7+26.79 EUR
10+24.94 EUR
50+20.19 EUR
100+18.05 EUR
200+17.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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Description: MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7520 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
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Description: INFINEON - SPW55N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 54.9 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 850V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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10+23.37 EUR
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Trans MOSFET N-CH 800V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 230 Stücke:
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6+33.26 EUR
7+26.79 EUR
10+24.94 EUR
50+20.19 EUR
100+18.05 EUR
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