SPW55N80C3FKSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details SPW55N80C3FKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPW55N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 54.9 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 850V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SPW55N80C3FKSA1 nach Preis ab 12.97 EUR bis 27.63 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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SPW55N80C3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 800V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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SPW55N80C3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32.6A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7520 pF @ 100 V |
auf Bestellung 862 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPW55N80C3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 850V 54.9A TO247-3 |
auf Bestellung 152 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPW55N80C3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPW55N80C3FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SPW55N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 54.9 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 850V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 744 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPW55N80C3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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SPW55N80C3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 850V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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SPW55N80C3FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| SPW55N80C3FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
SPW55N80C3FKSA1 THT N channel transistors |
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