SPZT651T1G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 2.43 EUR |
| 14+ | 1.54 EUR |
| 100+ | 1.02 EUR |
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Technische Details SPZT651T1G onsemi
Description: ONSEMI - SPZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40, DC-Stromverstärkung hFE: 40, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 800, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 75, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SPZT651T1G nach Preis ab 0.58 EUR bis 2.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SPZT651T1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS 60V XSTR NPN SPL |
auf Bestellung 810 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SPZT651T1G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS 60V XSTR NPN SPL
Bipolar Transistors - BJT SS 60V XSTR NPN SPL
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.49 EUR |
| 10+ | 1.55 EUR |
| 100+ | 1.04 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| 1000+ | 0.75 EUR |
| 2000+ | 0.64 EUR |
| 5000+ | 0.58 EUR |