SQ1421EDH-T1_GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1A; 0.5W; SC70-6; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC70-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 136+ | 0.53 EUR |
| 184+ | 0.39 EUR |
| 219+ | 0.33 EUR |
| 300+ | 0.24 EUR |
| 317+ | 0.23 EUR |
| 1000+ | 0.22 EUR |
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Technische Details SQ1421EDH-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQ1421EDH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SQ1421EDH-T1_GE3 nach Preis ab 0.22 EUR bis 0.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SQ1421EDH-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1A; 0.5W; SC70-6; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1A Power dissipation: 0.5W Case: SC70-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2340 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SQ1421EDH-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 318352 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ1421EDH-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3607 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ1421EDH-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ1421EDH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 26330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ1421EDH-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ1421EDH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 26535 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ1421EDH-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 25 V |
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