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SQ1464EEH-T1_GE3

SQ1464EEH-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq1464eeh.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
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Anzahl Preis
3000+0.20 EUR
6000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
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Technische Details SQ1464EEH-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ1464EEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 440 mA, 0.8 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 440mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 430mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SQ1464EEH-T1_GE3 SQ1464EEH-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq1464eeh.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.44A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 2610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
491+0.30 EUR
772+0.18 EUR
804+0.17 EUR
813+0.16 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 491
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SQ1464EEH-T1_GE3 SQ1464EEH-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq1464eeh.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.44A Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 2610 Stücke:
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459+0.31 EUR
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772+0.17 EUR
804+0.16 EUR
813+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 359
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SQ1464EEH-T1_GE3 SQ1464EEH-T1_GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sq1464eeh.pdf MOSFETs 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-363/SC-70
auf Bestellung 6328 Stücke:
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4+0.74 EUR
10+0.58 EUR
100+0.34 EUR
1000+0.23 EUR
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9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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SQ1464EEH-T1_GE3 SQ1464EEH-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sq1464eeh.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 16003 Stücke:
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24+0.74 EUR
39+0.46 EUR
100+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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SQ1464EEH-T1_GE3 SQ1464EEH-T1_GE3 Hersteller : VISHAY 2611856.pdf Description: VISHAY - SQ1464EEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 440 mA, 0.8 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SQ1464EEH-T1_GE3 SQ1464EEH-T1_GE3 Hersteller : VISHAY 2611856.pdf Description: VISHAY - SQ1464EEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 440 mA, 0.8 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: To Be Advised
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