SQ1464EEH-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.36 EUR |
| 6000+ | 0.32 EUR |
| 9000+ | 0.31 EUR |
| 15000+ | 0.3 EUR |
| 21000+ | 0.29 EUR |
| 30000+ | 0.27 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SQ1464EEH-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ1464EEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 440 mA, 1.41 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 440mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, Verlustleistung: 430mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.41ohm.
Weitere Produktangebote SQ1464EEH-T1_GE3 nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ1464EEH-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-363/SC-70 |
auf Bestellung 6328 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
SQ1464EEH-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V Power Dissipation (Max): 430mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 46447 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
SQ1464EEH-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ1464EEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 440 mA, 1.41 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 440mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV Verlustleistung: 430mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.41ohm |
auf Bestellung 3825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SQ1464EEH-T1_GE3 |
|
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-363/SC-70
MOSFETs 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-363/SC-70
auf Bestellung 6328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.88 EUR |
| 10+ | 0.69 EUR |
| 100+ | 0.4 EUR |
| 1000+ | 0.27 EUR |
| 3000+ | 0.24 EUR |
| 9000+ | 0.21 EUR |
| SQ1464EEH-T1_GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 46447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 1.49 EUR |
| 23+ | 0.93 EUR |
| 100+ | 0.6 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.42 EUR |
| SQ1464EEH-T1_GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ1464EEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 440 mA, 1.41 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 430mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.41ohm
Description: VISHAY - SQ1464EEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 440 mA, 1.41 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 430mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.41ohm
auf Bestellung 3825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)