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SQ2308CES-T1_GE3

SQ2308CES-T1_GE3 Vishay

sq2308ces.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details SQ2308CES-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQ2308CES-T1_GE3 SQ2308CES-T1_GE3 Vishay / Siliconix sq2308ces.pdf MOSFETs 60V 2.3A 2watt AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 271 Stücke:
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10+1.05 EUR
100+0.68 EUR
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SQ2308CES-T1_GE3 SQ2308CES-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0013891851-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 4648 Stücke:
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125+2.01 EUR
200+1.17 EUR
306+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1500+0.49 EUR
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SQ2308CES-T1_GE3 SQ2308CES-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0013891851-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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SQ2308CES-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
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Produktpalette: TrenchFET
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2308CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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