SQ2309CES-T1_BE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 39+ | 0.46 EUR |
| 56+ | 0.32 EUR |
| 63+ | 0.28 EUR |
| 100+ | 0.24 EUR |
| 250+ | 0.22 EUR |
| 500+ | 0.21 EUR |
| 1000+ | 0.2 EUR |
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Technische Details SQ2309CES-T1_BE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ2309CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.37 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SQ2309CES-T1_BE3 nach Preis ab 0.18 EUR bis 1.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SQ2309CES-T1_BE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2309CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.37 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2309CES-T1_BE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2309CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.37 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQ2309CES-T1_BE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ2309CES-T1_BE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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| SQ2309CES-T1-BE3 | Hersteller : Vishay | MOSFETs SOT23 P CHAN 60V |
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