SQ2309CES-T1_BE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 39+ | 0.55 EUR |
| 56+ | 0.38 EUR |
| 63+ | 0.33 EUR |
| 100+ | 0.29 EUR |
| 250+ | 0.26 EUR |
| 500+ | 0.25 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
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Technische Details SQ2309CES-T1_BE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ2309CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.37 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 2W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm.
Weitere Produktangebote SQ2309CES-T1_BE3 nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SQ2309CES-T1_BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2309CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.37 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm |
auf Bestellung 2350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2309CES-T1_BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2309CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.37 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm |
auf Bestellung 2350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQ2309CES-T1_BE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQ2309CES-T1_BE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2309CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.37 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
Description: VISHAY - SQ2309CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.37 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 166+ | 1.51 EUR |
| 367+ | 0.63 EUR |
| 417+ | 0.51 EUR |
| 553+ | 0.39 EUR |
| 1500+ | 0.38 EUR |
| SQ2309CES-T1_BE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2309CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.37 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: p-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 166+ | 1.51 EUR |
| 367+ | 0.63 EUR |
| 417+ | 0.51 EUR |
| 553+ | 0.39 EUR |
| 1500+ | 0.38 EUR |
| SQ2309CES-T1_BE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.2 EUR |
| 10+ | 0.74 EUR |
| 100+ | 0.5 EUR |
| 500+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.31 EUR |
| 3000+ | 0.23 EUR |
| 6000+ | 0.21 EUR |