SQ2315ES-T1_GE3 Vishay
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Technische Details SQ2315ES-T1_GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote SQ2315ES-T1_GE3 nach Preis ab 0.20 EUR bis 0.97 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 912 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 912 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 8577 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 89500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2315ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 9915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2315ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 9915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
SQ2315ES-T1-GE3 SMD P channel transistors |
auf Bestellung 1847 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SQ2315ES-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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SQ2315ES-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT SQ23 |
Produkt ist nicht verfügbar |