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SQ2315ES-T1_GE3 Vishay

Name: SQ2315ES-T1_GE3
Brand: Vishay
SKU: 24921695-5
Price: 720 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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Technische Details SQ2315ES-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQ2315ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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SQ2315ES-T1_GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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SQ2315ES-T1_GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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SQ2315ES-T1_GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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SQ2315ES-T1_GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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SQ2315ES-T1_GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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411+	0.35 EUR
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SQ2315ES-T1_GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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351+	0.41 EUR
409+	0.34 EUR
411+	0.33 EUR
488+	0.26 EUR
490+	0.25 EUR
607+	0.2 EUR

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SQ2315ES-T1_GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8577 Stücke:

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29+	0.62 EUR
36+	0.5 EUR
100+	0.43 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.33 EUR

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SQ2315ES-T1_GE3

Hersteller : VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5A; Idm: -20A; 0.67W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 0.67W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1847 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
93+	0.77 EUR
133+	0.54 EUR
158+	0.45 EUR
232+	0.31 EUR
246+	0.29 EUR

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SQ2315ES-T1_GE3

Hersteller : VISHAY

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133+	0.54 EUR
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SQ2315ES-T1_GE3

Hersteller : Vishay / Siliconix

MOSFETs P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified

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Anzahl	Preis
3+	0.97 EUR
10+	0.69 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.35 EUR
3000+	0.29 EUR
9000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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SQ2315ES-T1_GE3

Hersteller : VISHAY

Description: VISHAY - SQ2315ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

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SQ2315ES-T1_GE3

Hersteller : VISHAY

Description: VISHAY - SQ2315ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

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SQ2315ES-T1_GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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SQ2315ES-T1-GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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SQ2315ES-T1-GE3

Hersteller : Vishay / Siliconix

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