
SQ2315ES-T1_GE3 Vishay
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Technische Details SQ2315ES-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQ2315ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SQ2315ES-T1_GE3 nach Preis ab 0.19 EUR bis 0.97 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 8577 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5A; Idm: -20A; 0.67W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -5A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 0.67W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5A; Idm: -20A; 0.67W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -5A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 0.67W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 89500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 17895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
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SQ2315ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2315ES-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
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SQ2315ES-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT SQ23 |
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