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SQ2318AES-T1_GE3

SQ2318AES-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq2318aes.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.35 EUR
6000+0.32 EUR
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Technische Details SQ2318AES-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote SQ2318AES-T1_GE3 nach Preis ab 0.28 EUR bis 1.44 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SQ2318AES-T1_GE3 SQ2318AES-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq2318aes.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.39 EUR
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SQ2318AES-T1_GE3 SQ2318AES-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq2318aes.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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SQ2318AES-T1_GE3 SQ2318AES-T1_GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sq2318aes.pdf MOSFETs N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
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3+1.29 EUR
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SQ2318AES-T1_GE3 SQ2318AES-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sq2318aes.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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Anzahl Preis
13+1.44 EUR
20+0.90 EUR
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500+0.45 EUR
1000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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SQ2318AES-T1_GE3 SQ2318AES-T1_GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013891856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ2318AES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 276340 Stücke:
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SQ2318AES-T1_GE3 SQ2318AES-T1_GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013891856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ2318AES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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SQ2318AES-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sq2318aes.pdf SQ2318AES-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
79+0.91 EUR
235+0.30 EUR
249+0.29 EUR
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 79
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SQ2318AES-T1-GE3 SQ2318AES-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors MOSFETs RECOMMENDED ALT S Q2
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