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SQ2325ES-T1_GE3

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Produktcode: 164123
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQ2325ES-T1_GE3 SQ2325ES-T1_GE3 Vishay Semiconductors sq2325es.pdf MOSFETs P-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 161808 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
10+1.01 EUR
100+0.76 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.48 EUR
6000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SQ2325ES-T1_GE3 SQ2325ES-T1_GE3 VISHAY 3006544.pdf Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+1.33 EUR
221+1.06 EUR
281+0.76 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
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SQ2325ES-T1_GE3 SQ2325ES-T1_GE3 VISHAY sq2325es.pdf Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+1.82 EUR
196+1.19 EUR
278+0.77 EUR
500+0.64 EUR
1500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
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SQ2325ES-T1_GE3 SQ2325ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2325es.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.77Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3079 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.93 EUR
18+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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SQ2325ES-T1_GE3 sq2325es.pdf
SQ2325ES-T1_GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 161808 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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SQ2325ES-T1_GE3 3006544.pdf
SQ2325ES-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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AnzahlPrivatkunde
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221+1.06 EUR
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Mindestbestellmenge: 188 Stücke
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SQ2325ES-T1_GE3 sq2325es.pdf
SQ2325ES-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1588 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
137+1.82 EUR
196+1.19 EUR
278+0.77 EUR
500+0.64 EUR
1500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
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SQ2325ES-T1_GE3 sq2325es.pdf
SQ2325ES-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.77Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3079 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
11+1.93 EUR
18+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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