SQ2325ES-T1_GE3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
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| 3+ | 1.12 EUR |
| 10+ | 0.85 EUR |
| 100+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.51 EUR |
| 1000+ | 0.46 EUR |
| 3000+ | 0.4 EUR |
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Technische Details SQ2325ES-T1_GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 840mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SQ2325ES-T1_GE3 nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.62 EUR
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Preis | ||||||||||||
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SQ2325ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.77Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
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SQ2325ES-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 840mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
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SQ2325ES-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 840mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2843 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2325ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQ2325ES-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
SQ2325ES-T1-GE3 SMD P channel transistors |
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SQ2325ES-T1_GE3 Produktcode: 164123
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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SQ2325ES-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SQ2325ES-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.77Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
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