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SQ2351ES-T1_GE3

SQ2351ES-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq2351es.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Technische Details SQ2351ES-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V.

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SQ2351ES-T1_GE3 SQ2351ES-T1_GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sq2351es.pdf MOSFETs P-Channel 20V AEC-Q101 Qualified
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SQ2351ES-T1_GE3 SQ2351ES-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sq2351es.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
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SQ2351ES-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sq2351es.pdf SQ2351ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SQ2351ES-T1_GE3 SQ2351ES-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq2351es.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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SQ2351ES-T1-GE3 SQ2351ES-T1-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix MOSFETs RECOMMENDED ALT SQ23
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