Produkte > VISHAY SILICONIX > SQ2361ES-T1_GE3
SQ2361ES-T1_GE3

SQ2361ES-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq2361es.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.41 EUR
6000+0.38 EUR
9000+0.36 EUR
15000+0.34 EUR
21000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SQ2361ES-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ2361ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SQ2361ES-T1_GE3 nach Preis ab 0.36 EUR bis 6.61 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SQ2361ES-T1_GE3 SQ2361ES-T1_GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sq2361es.pdf MOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 164791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.02 EUR
10+0.86 EUR
100+0.60 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.38 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2361ES-T1_GE3 SQ2361ES-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sq2361es.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 142900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.67 EUR
17+1.04 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2361ES-T1_GE3 SQ2361ES-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq2361es.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2361ES-T1_GE3 SQ2361ES-T1_GE3 Hersteller : VISHAY 2614537.pdf Description: VISHAY - SQ2361ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 198140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2361ES-T1_GE3 SQ2361ES-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq2361es.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2361ES-T1_GE3 SQ2361ES-T1_GE3 Hersteller : VISHAY 2614537.pdf Description: VISHAY - SQ2361ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 198140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2361ES-T1_GE3 SQ2361ES-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq2361es.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2361ES-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq2361es.pdf Транз. Пол. ММ P-MOSFET -60В -2,8А Idm: -11А 0,67Вт
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2361ES-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sq2361es.pdf SQ2361ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH