SQ2361ES-T1_GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2361ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.177 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: -
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Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Technische Details SQ2361ES-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQ2361ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.177 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SQ2361ES-T1_GE3 nach Preis ab 0.51 EUR bis 2.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SQ2361ES-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2361ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.177 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 16454 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2361ES-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 87900 Stücke: Lieferzeit 77-81 Tag (e) |
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SQ2361ES-T1_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SQ2361ES-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2361ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.177 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - SQ2361ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.177 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 128+ | 1.96 EUR |
| 193+ | 1.2 EUR |
| 285+ | 0.75 EUR |
| 500+ | 0.64 EUR |
| 1500+ | 0.6 EUR |
| SQ2361ES-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
MOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 87900 Stücke:
Lieferzeit 77-81 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.01 EUR |
| 10+ | 1.08 EUR |
| 100+ | 0.75 EUR |
| 500+ | 0.64 EUR |
| 1000+ | 0.6 EUR |
| 3000+ | 0.51 EUR |
| SQ2361ES-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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