SQ2362CES-T1_GE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.23 EUR |
| 10+ | 0.75 EUR |
| 100+ | 0.48 EUR |
| 500+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
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Technische Details SQ2362CES-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SQ2362CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 3W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm.
Weitere Produktangebote SQ2362CES-T1_GE3 nach Preis ab 0.37 EUR bis 1.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SQ2362CES-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3 |
auf Bestellung 1354 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ2362CES-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2362CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 3W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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SQ2362CES-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2362CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 3W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SQ2362CES-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 17+ | 1.24 EUR |
| 28+ | 0.76 EUR |
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| 100+ | 0.49 EUR |
| 500+ | 0.37 EUR |
| SQ2362CES-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2362CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
Description: VISHAY - SQ2362CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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| SQ2362CES-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2362CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET Series
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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