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SQ2364EES-T1_GE3

SQ2364EES-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq2364ees.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.33 EUR
6000+0.32 EUR
9000+0.31 EUR
21000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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Technische Details SQ2364EES-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.50 EUR
313+0.46 EUR
314+0.44 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.34 EUR
2000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 295
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SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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Anzahl Preis
3000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.77 EUR
195+0.73 EUR
277+0.50 EUR
280+0.47 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 193
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SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.92 EUR
191+0.75 EUR
193+0.71 EUR
195+0.68 EUR
277+0.46 EUR
280+0.44 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 162
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SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sq2364ees.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 245mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
103+0.69 EUR
160+0.45 EUR
169+0.42 EUR
250+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 75
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SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sq2364ees.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 245mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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103+0.69 EUR
160+0.45 EUR
169+0.42 EUR
250+0.40 EUR
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SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sq2364ees.pdf MOSFETs 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id
auf Bestellung 111817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.36 EUR
10+0.89 EUR
100+0.63 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sq2364ees.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 28638 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+1.36 EUR
21+0.87 EUR
100+0.61 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sq2364ees.pdf Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 12515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sq2364ees.pdf Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 12515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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SQ2364EES-T1 GE3 Hersteller : Vishay Vishay 60V N-CHANNEL (D-S)
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