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SQ2364EES-T1_GE3 Vishay Siliconix

Name: SQ2364EES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 12321414-3
Price: 930 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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3000+	0.31 EUR
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Technische Details SQ2364EES-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote SQ2364EES-T1_GE3 nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.39 EUR

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Beschreibung

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SQ2364EES-T1_GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2020 Stücke:

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295+	0.49 EUR
313+	0.45 EUR
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SQ2364EES-T1_GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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SQ2364EES-T1_GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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193+	0.75 EUR
195+	0.72 EUR
277+	0.49 EUR
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3000+	0.21 EUR

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SQ2364EES-T1_GE3

Hersteller : VISHAY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.3A; 1W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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88+	0.82 EUR
112+	0.64 EUR
130+	0.55 EUR
161+	0.44 EUR
166+	0.43 EUR
171+	0.42 EUR
500+	0.41 EUR

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SQ2364EES-T1_GE3

Hersteller : VISHAY

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88+	0.82 EUR
112+	0.64 EUR
130+	0.55 EUR
161+	0.44 EUR
166+	0.43 EUR
171+	0.42 EUR
500+	0.41 EUR

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SQ2364EES-T1_GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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Anzahl	Preis
162+	0.9 EUR
191+	0.73 EUR
193+	0.7 EUR
195+	0.66 EUR
277+	0.45 EUR
280+	0.43 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.27 EUR
3000+	0.21 EUR

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SQ2364EES-T1_GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 49736 Stücke:

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17+	1.09 EUR
22+	0.82 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.4 EUR

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SQ2364EES-T1_GE3

Hersteller : Vishay Semiconductors

MOSFETs 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id

auf Bestellung 144692 Stücke:

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Anzahl	Preis
3+	1.39 EUR
10+	0.87 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.44 EUR
3000+	0.33 EUR
6000+	0.32 EUR

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SQ2364EES-T1_GE3

Hersteller : VISHAY

VISH-S-A0014527063-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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SQ2364EES-T1_GE3

Hersteller : VISHAY

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SQ2364EES-T1_GE3

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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SQ2364EES-T1 GE3

Hersteller : Vishay

Vishay 60V N-CHANNEL (D-S)

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