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SQ2364EES-T1_GE3

SQ2364EES-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq2364ees.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.4 EUR
6000+0.38 EUR
9000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details SQ2364EES-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, Verlustleistung: 3W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.6 EUR
313+0.55 EUR
314+0.54 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.43 EUR
2000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
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SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.9 EUR
195+0.88 EUR
277+0.61 EUR
280+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
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SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.08 EUR
191+0.88 EUR
193+0.83 EUR
195+0.8 EUR
277+0.54 EUR
280+0.51 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Vishay Semiconductors sq2364ees.pdf MOSFETs 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id
auf Bestellung 117219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.43 EUR
10+1.02 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.37 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2364ees.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
20+1.05 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0014527063-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
auf Bestellung 4097 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+2.44 EUR
164+1.42 EUR
240+0.89 EUR
500+0.76 EUR
1500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
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SQ2364EES-T1_GE3 SQ2364EES-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0014527063-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
auf Bestellung 4097 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+2.44 EUR
164+1.42 EUR
240+0.89 EUR
500+0.76 EUR
1500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
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SQ2364EES-T1"GE3 VISHAY VISH-S-A0010613245-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ2364EES-T1"GE3 - N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 26AK9938
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 16119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+3.15 EUR
112+2.08 EUR
138+1.56 EUR
180+1.19 EUR
250+1.02 EUR
500+0.84 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SQ2364EES-T1_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
295+0.6 EUR
313+0.55 EUR
314+0.54 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.43 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SQ2364EES-T1_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SQ2364EES-T1_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
193+0.9 EUR
195+0.88 EUR
277+0.61 EUR
280+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SQ2364EES-T1_GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
162+1.08 EUR
191+0.88 EUR
193+0.83 EUR
195+0.8 EUR
277+0.54 EUR
280+0.51 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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SQ2364EES-T1_GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id
auf Bestellung 117219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.43 EUR
10+1.02 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.37 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SQ2364EES-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+1.68 EUR
20+1.05 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2364EES-T1_GE3 VISH-S-A0014527063-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQ2364EES-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
auf Bestellung 4097 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
103+2.44 EUR
164+1.42 EUR
240+0.89 EUR
500+0.76 EUR
1500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SQ2364EES-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
auf Bestellung 4097 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
103+2.44 EUR
164+1.42 EUR
240+0.89 EUR
500+0.76 EUR
1500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ2364EES-T1"GE3 VISH-S-A0010613245-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2364EES-T1"GE3 - N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 26AK9938
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: TBA
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 16119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
80+3.15 EUR
112+2.08 EUR
138+1.56 EUR
180+1.19 EUR
250+1.02 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH