SQ2364EES-T1_BE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.5 EUR |
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Technische Details SQ2364EES-T1_BE3 Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote SQ2364EES-T1_BE3 nach Preis ab 0.31 EUR bis 2.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SQ2364EES-T1_BE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 288000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2364EES-T1"BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2364EES-T1"BE3 - N-CHANNEL 60-V D-S 175C MOSFET 87AJ3530 tariffCode: 0 Transistormontage: Surface Mount euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: TBA Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 3W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2364EES-T1_BE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 288000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2364EES-T1_BE3 | Vishay |
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 5020 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ2364EES-T1_BE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 8003 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ2364EES-T1_BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm |
auf Bestellung 2556 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ2364EES-T1_BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2556 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQ2364EES-T1_BE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 288000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 159+ | 1.12 EUR |
| 203+ | 0.87 EUR |
| 236+ | 0.73 EUR |
| 500+ | 0.51 EUR |
| 3000+ | 0.4 EUR |
| 9000+ | 0.36 EUR |
| SQ2364EES-T1"BE3 |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2364EES-T1"BE3 - N-CHANNEL 60-V D-S 175C MOSFET 87AJ3530
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - SQ2364EES-T1"BE3 - N-CHANNEL 60-V D-S 175C MOSFET 87AJ3530
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 161+ | 1.56 EUR |
| 201+ | 1.15 EUR |
| 297+ | 0.73 EUR |
| 500+ | 0.63 EUR |
| 1000+ | 0.55 EUR |
| 2500+ | 0.44 EUR |
| SQ2364EES-T1_BE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 288000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 102+ | 1.75 EUR |
| 159+ | 1.08 EUR |
| 203+ | 0.82 EUR |
| 236+ | 0.68 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 3000+ | 0.36 EUR |
| 9000+ | 0.31 EUR |
| SQ2364EES-T1_BE3 |
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Hersteller: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 5020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.96 EUR |
| 10+ | 0.9 EUR |
| 100+ | 0.81 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| 1000+ | 0.6 EUR |
| 3000+ | 0.5 EUR |
| SQ2364EES-T1_BE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8003 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 2.01 EUR |
| 17+ | 1.25 EUR |
| 50+ | 0.93 EUR |
| 100+ | 0.82 EUR |
| 500+ | 0.63 EUR |
| SQ2364EES-T1_BE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
auf Bestellung 2556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 107+ | 2.34 EUR |
| 171+ | 1.36 EUR |
| 247+ | 0.87 EUR |
| 500+ | 0.74 EUR |
| 1000+ | 0.68 EUR |
| SQ2364EES-T1_BE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 107+ | 2.34 EUR |
| 171+ | 1.36 EUR |
| 247+ | 0.87 EUR |
| 500+ | 0.74 EUR |
| 1000+ | 0.68 EUR |