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SQ3426EV-T1_GE3

SQ3426EV-T1_GE3 Vishay Siliconix


sq3426ev.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.46 EUR
6000+0.44 EUR
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Technische Details SQ3426EV-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ3426EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SQ3426EV-T1_GE3 SQ3426EV-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq3426ev.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
260+0.57 EUR
262+0.55 EUR
304+0.45 EUR
306+0.43 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 260
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SQ3426EV-T1_GE3 SQ3426EV-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq3426ev.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
247+0.60 EUR
259+0.55 EUR
260+0.53 EUR
262+0.51 EUR
304+0.42 EUR
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500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 247
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SQ3426EV-T1_GE3 SQ3426EV-T1_GE3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDABA3FB750BF660D3&compId=sq3426ev.pdf?ci_sign=93272f06ab4634761b05a26fe02ba5c407fdef1f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
On-state resistance: 71mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.3nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 29A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2168 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
100+0.72 EUR
113+0.64 EUR
130+0.55 EUR
138+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 68
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SQ3426EV-T1_GE3 SQ3426EV-T1_GE3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDABA3FB750BF660D3&compId=sq3426ev.pdf?ci_sign=93272f06ab4634761b05a26fe02ba5c407fdef1f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
On-state resistance: 71mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.3nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 29A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
auf Bestellung 2168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
100+0.72 EUR
113+0.64 EUR
130+0.55 EUR
138+0.52 EUR
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SQ3426EV-T1_GE3 SQ3426EV-T1_GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sq3426ev.pdf MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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Anzahl Preis
3+1.21 EUR
10+1.05 EUR
100+0.73 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.52 EUR
3000+0.46 EUR
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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SQ3426EV-T1_GE3 SQ3426EV-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sq3426ev.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 41534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+1.21 EUR
17+1.06 EUR
100+0.73 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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SQ3426EV-T1_GE3 SQ3426EV-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sq3426ev.pdf Description: VISHAY - SQ3426EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 50770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SQ3426EV-T1_GE3 SQ3426EV-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sq3426ev.pdf Description: VISHAY - SQ3426EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 50770 Stücke:
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SQ3426EV-T1_GE3 SQ3426EV-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq3426ev.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive 6-Pin TSOP T/R
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