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SQ3426EV-T1_GE3 Vishay Siliconix

Name: SQ3426EV-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 6708892-3
Price: 1380.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

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Technische Details SQ3426EV-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ3426EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.042 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 5W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm.

Weitere Produktangebote SQ3426EV-T1_GE3 nach Preis ab 0.51 EUR bis 1.44 EUR

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SQ3426EV-T1_GE3

VISHAY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 29A
Power dissipation: 5W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®

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81+	1.06 EUR
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SQ3426EV-T1_GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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SQ3426EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

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SQ3426EV-T1_GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SQ3426EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.042 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm

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SQ3426EV-T1_GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SQ3426EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.042 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm

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SQ3426EV-T1_GE3

Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 29A
Power dissipation: 5W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®

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Anzahl	Privatkunde
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SQ3426EV-T1_GE3

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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10+	1.25 EUR
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SQ3426EV-T1_GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

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Anzahl	Privatkunde
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SQ3426EV-T1_GE3

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ3426EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.042 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm

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SQ3426EV-T1_GE3

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ3426EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.042 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm

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