SQ3426EV-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.46 EUR |
| 6000+ | 0.44 EUR |
| 9000+ | 0.41 EUR |
| 30000+ | 0.4 EUR |
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Technische Details SQ3426EV-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ3426EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SQ3426EV-T1_GE3 nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SQ3426EV-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ3426EV-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ3426EV-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W Drain-source voltage: 60V Drain current: 7A On-state resistance: 71mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 6.3nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 29A Mounting: SMD Case: TSOP6 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2168 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SQ3426EV-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W Drain-source voltage: 60V Drain current: 7A On-state resistance: 71mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 6.3nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 29A Mounting: SMD Case: TSOP6 |
auf Bestellung 2168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ3426EV-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 59981 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ3426EV-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 41534 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ3426EV-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ3426EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 50770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ3426EV-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ3426EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 50770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ3426EV-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive 6-Pin TSOP T/R |
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