SQ3457EV-T1_BE3 Vishay Siliconix
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Technische Details SQ3457EV-T1_BE3 Vishay Siliconix
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.8A; Idm: -27A, Mounting: SMD, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -6.8A, On-state resistance: 0.1Ω, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 5W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 21nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: -27A, Case: TSOP6, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SQ3457EV-T1_BE3 nach Preis ab 0.37 EUR bis 1.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SQ3457EV-T1_BE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 30V (D-S) |
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SQ3457EV-T1_BE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP |
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| SQ3457EV-T1_BE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.8A; Idm: -27A Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.8A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -27A Case: TSOP6 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SQ3457EV-T1_BE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.8A; Idm: -27A Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.8A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -27A Case: TSOP6 |
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