SQ3457EV-T1_BE3 Vishay Siliconix
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Technische Details SQ3457EV-T1_BE3 Vishay Siliconix
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.8A; Idm: -27A, Mounting: SMD, Type of transistor: P-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Technology: TrenchFET®, Case: TSOP6, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -30V, Pulsed drain current: -27A, Drain current: -6.8A, Gate charge: 21nC, On-state resistance: 0.1Ω, Power dissipation: 5W, Gate-source voltage: ±20V, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote SQ3457EV-T1_BE3 nach Preis ab 0.35 EUR bis 1.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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SQ3457EV-T1_BE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP |
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SQ3457EV-T1_BE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 30V (D-S) |
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| SQ3457EV-T1_BE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.8A; Idm: -27A Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Case: TSOP6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -27A Drain current: -6.8A Gate charge: 21nC On-state resistance: 0.1Ω Power dissipation: 5W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement |
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