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SQ3457EV-T1_BE3

SQ3457EV-T1_BE3 Vishay Siliconix


Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
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Technische Details SQ3457EV-T1_BE3 Vishay Siliconix

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.8A; Idm: -27A, Mounting: SMD, Type of transistor: P-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Technology: TrenchFET®, Case: TSOP6, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -30V, Pulsed drain current: -27A, Drain current: -6.8A, Gate charge: 21nC, On-state resistance: 0.1Ω, Power dissipation: 5W, Gate-source voltage: ±20V, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.

Weitere Produktangebote SQ3457EV-T1_BE3 nach Preis ab 0.35 EUR bis 1.35 EUR

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SQ3457EV-T1_BE3 SQ3457EV-T1_BE3 Hersteller : Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
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SQ3457EV-T1_BE3 SQ3457EV-T1_BE3 Hersteller : Vishay / Siliconix MOSFETs P-CHANNEL 30V (D-S)
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6000+0.35 EUR
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SQ3457EV-T1_BE3 Hersteller : VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.8A; Idm: -27A
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -27A
Drain current: -6.8A
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SQ3457EV-T1_BE3 Hersteller : VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.8A; Idm: -27A
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -27A
Drain current: -6.8A
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
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