SQ3460EV-T1_GE3 Vishay Semiconductors
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| 22+ | 2.37 EUR |
| 26+ | 2.02 EUR |
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| 500+ | 1.32 EUR |
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| 3000+ | 1 EUR |
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Technische Details SQ3460EV-T1_GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SQ3460EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.
Weitere Produktangebote SQ3460EV-T1_GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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SQ3460EV-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ3460EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm |
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SQ3460EV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP |
auf Bestellung 541 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ3460EV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP |
auf Bestellung 541 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ3460EV-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ3460EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm |
auf Bestellung 1020 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ3460EV-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R |
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SQ3460EV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP |
Produkt ist nicht verfügbar |