Produkte > VISHAY / SILICONIX > SQ3985EV-T1_GE3
SQ3985EV-T1_GE3

SQ3985EV-T1_GE3 Vishay / Siliconix


Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 110333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.15 EUR
10+1 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.68 EUR
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SQ3985EV-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQ3985EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 3.9 A, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.24ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Weitere Produktangebote SQ3985EV-T1_GE3 nach Preis ab 0.65 EUR bis 2.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQ3985EV-T1_GE3 SQ3985EV-T1_GE3 VISHAY Description: VISHAY - SQ3985EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 3.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.24ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+2.65 EUR
150+1.55 EUR
228+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3985EV-T1_GE3 Vishay
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3985EV-T1_GE3
SQ3985EV-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ3985EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 3.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.24ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
95+2.65 EUR
150+1.55 EUR
228+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ3985EV-T1_GE3
Hersteller: Vishay
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH