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SQ3985EV-T1_GE3 Vishay Siliconix


sq3985ev.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 6TSOP
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Technische Details SQ3985EV-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQ3985EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 3.9 A, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.24ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQ3985EV-T1_GE3 SQ3985EV-T1_GE3 Vishay / Siliconix sq3985ev.pdf MOSFETs P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ3985EV-T1_GE3 SQ3985EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3985ev.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 6TSOP
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SQ3985EV-T1_GE3 SQ3985EV-T1_GE3 VISHAY sq3985ev.pdf Description: VISHAY - SQ3985EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 3.9 A
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
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Qualifikation: AEC-Q101
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.24ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ3985EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 3.9 A
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
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Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
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