SQ3987EV-T1_GE3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
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| 3+ | 1.24 EUR |
| 10+ | 0.88 EUR |
| 100+ | 0.6 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| 1000+ | 0.43 EUR |
| 3000+ | 0.39 EUR |
| 6000+ | 0.36 EUR |
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Technische Details SQ3987EV-T1_GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SQ3987EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3 A, 3 A, 0.085 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.67W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.67W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SQ3987EV-T1_GE3 nach Preis ab 0.44 EUR bis 1.6 EUR
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Preis | ||||||||||||
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SQ3987EV-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.67W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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SQ3987EV-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ3987EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3 A, 3 A, 0.085 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.67W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.67W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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SQ3987EV-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ3987EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3 A, 3 A, 0.085 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.67W euEccn: NLR Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.67W SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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| SQ3987EV-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
TRANS DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET SQ3987EV-T1_GE3 TSQ3987EV-T1_GE3 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
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| SQ3987EV-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ3987EV-T1_GE3 Produktcode: 174743
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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SQ3987EV-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.67W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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