Produkte > VISHAY / SILICONIX > SQ4282EY-T1_GE3
SQ4282EY-T1_GE3

SQ4282EY-T1_GE3 Vishay / Siliconix

sq4282ey.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 13629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.38 EUR
10+1.95 EUR
100+1.51 EUR
500+1.28 EUR
1000+1.04 EUR
2500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SQ4282EY-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQ4282EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.01 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.9W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Produktreihe TrenchFET, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.9W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SQ4282EY-T1_GE3 nach Preis ab 1.55 EUR bis 2.68 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SQ4282EY-T1_GE3 SQ4282EY-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sq4282ey.pdf Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.68 EUR
10+2.40 EUR
100+1.87 EUR
500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4282EY-T1_GE3 SQ4282EY-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sq4282ey.pdf Description: VISHAY - SQ4282EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchFET
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.9W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4282EY-T1_GE3 SQ4282EY-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sq4282ey.pdf Description: VISHAY - SQ4282EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchFET
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.9W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4282EY-T1_GE3 SQ4282EY-T1_GE3 Hersteller : Vishay sq4282ey.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ4282EY-T1_GE3 SQ4282EY-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sq4282ey.pdf Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH