SQ4410EY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details SQ4410EY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ4410EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 5W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm.
Weitere Produktangebote SQ4410EY-T1_GE3 nach Preis ab 0.96 EUR bis 3.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SQ4410EY-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 30V 15A 5W AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 18136 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ4410EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 5875 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ4410EY-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4410EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 5W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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SQ4410EY-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4410EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung Pd: 5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 5W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SQ4410EY-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 30V 15A 5W AEC-Q101 Qualified
MOSFETs 30V 15A 5W AEC-Q101 Qualified
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.64 EUR |
| 10+ | 1.8 EUR |
| 100+ | 1.42 EUR |
| 500+ | 1.18 EUR |
| 1000+ | 1.02 EUR |
| 2500+ | 0.96 EUR |
| SQ4410EY-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5875 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 3.1 EUR |
| 10+ | 1.97 EUR |
| 100+ | 1.33 EUR |
| 500+ | 1.06 EUR |
| 1000+ | 1 EUR |
| SQ4410EY-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ4410EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
Description: VISHAY - SQ4410EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 15A
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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auf Bestellung 2517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SQ4410EY-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ4410EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
Description: VISHAY - SQ4410EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
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Kanaltyp: n-Kanal
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auf Bestellung 2517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)