SQ4431EY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V
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Technische Details SQ4431EY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ4431EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6W, Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SQ4431EY-T1_GE3 nach Preis ab 1.03 EUR bis 2.57 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SQ4431EY-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V |
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SQ4431EY-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V 10.8A 6W AEC-Q101 Qualified |
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SQ4431EY-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4431EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SQ4431EY-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4431EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 6W Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 124840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ4431EY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC |
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