SQ4850EY-T1_GE3 Vishay
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| Anzahl | Preis |
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| 197+ | 0.75 EUR |
| 198+ | 0.72 EUR |
| 199+ | 0.69 EUR |
| 211+ | 0.63 EUR |
| 250+ | 0.60 EUR |
| 500+ | 0.55 EUR |
| 1000+ | 0.45 EUR |
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Technische Details SQ4850EY-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQ4850EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.8W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SQ4850EY-T1_GE3 nach Preis ab 0.45 EUR bis 2.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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SQ4850EY-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ4850EY-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ4850EY-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V 12A 6.8W AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 59216 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ4850EY-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 23781 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ4850EY-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4850EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 4210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ4850EY-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4850EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 4210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQ4850EY-T1-GE3 |
auf Bestellung 798200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SQ4850EY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SQ4850EY-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SQ4850EY-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
SQ4850EY-T1-GE3 SMD N channel transistors |
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SQ4850EY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ4850EY-T1_GE3 |
Produkt ist nicht verfügbar |