SQ4917CEY-T1_GE3 Vishay
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 110+ | 1.35 EUR |
| 120+ | 1.22 EUR |
| 129+ | 1.11 EUR |
| 500+ | 1.03 EUR |
| 1000+ | 0.97 EUR |
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Technische Details SQ4917CEY-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQ4917CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0421 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0421ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0421ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 5W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SQ4917CEY-T1_GE3 nach Preis ab 0.76 EUR bis 2.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SQ4917CEY-T1_GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQ4917CEY-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2167 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ4917CEY-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs DUAL P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE |
auf Bestellung 9578 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQ4917CEY-T1_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SQ4917CEY-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4917CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0421 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0421ohm Verlustleistung, p-Kanal: 5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0421ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SQ4917CEY-T1_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SQ4917CEY-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4917CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0421 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0421ohm Verlustleistung, p-Kanal: 5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0421ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SQ4917CEY-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 94+ | 1.59 EUR |
| 110+ | 1.31 EUR |
| 120+ | 1.15 EUR |
| 129+ | 1.03 EUR |
| 500+ | 0.94 EUR |
| 1000+ | 0.86 EUR |
| SQ4917CEY-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 2.75 EUR |
| 11+ | 1.75 EUR |
| 100+ | 1.18 EUR |
| 500+ | 0.93 EUR |
| 1000+ | 0.86 EUR |
| SQ4917CEY-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs DUAL P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE
MOSFETs DUAL P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE
auf Bestellung 9578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.8 EUR |
| 10+ | 1.78 EUR |
| 100+ | 1.2 EUR |
| 500+ | 0.95 EUR |
| 1000+ | 0.87 EUR |
| 2500+ | 0.83 EUR |
| 5000+ | 0.76 EUR |
| SQ4917CEY-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SQ4917CEY-T1_GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ4917CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0421 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0421ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0421ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQ4917CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0421 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0421ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0421ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SQ4917CEY-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SQ4917CEY-T1_GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ4917CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0421 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0421ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0421ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQ4917CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0421 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0421ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0421ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)