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SQ4940CEY-T1_GE3

SQ4940CEY-T1_GE3 Vishay / Siliconix

sq4940cey_rc_21081.pdf
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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Technische Details SQ4940CEY-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQ4940CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.024 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SQ4940CEY-T1_GE3 SQ4940CEY-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0020768754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ4940CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.024 ohm
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Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
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Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SQ4940CEY-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
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SQ4940CEY-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ4940CEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.024 ohm
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Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
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