SQA310CEJW-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SC-70W, 19 mohm a. 10V, 32 mohm a. 4.5V
MOSFET Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SC-70W, 19 mohm a. 10V, 32 mohm a. 4.5V
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 0.74 EUR |
| 10+ | 0.63 EUR |
| 100+ | 0.47 EUR |
| 500+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| 3000+ | 0.25 EUR |
| 9000+ | 0.23 EUR |
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Technische Details SQA310CEJW-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SQA310CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
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Verfügbarkeit |
Preis |
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SQA310CEJW-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SQA310CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SC-70W, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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