SQA310CEJW-T1_GE3 Vishay / Siliconix
auf Bestellung 5789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 0.92 EUR |
| 10+ | 0.64 EUR |
| 100+ | 0.43 EUR |
| 500+ | 0.33 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| 3000+ | 0.27 EUR |
| 6000+ | 0.22 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SQA310CEJW-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SQA310CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SQA310CEJW-T1_GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
|
SQA310CEJW-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQA310CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
SQA310CEJW-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQA310CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
