SQA401EEJ-T1_GE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1 EUR |
| 10+ | 0.81 EUR |
| 100+ | 0.59 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1000+ | 0.38 EUR |
| 3000+ | 0.32 EUR |
| 9000+ | 0.3 EUR |
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Technische Details SQA401EEJ-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SQA401EEJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.68 A, 0.113 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 13.6W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm.
Weitere Produktangebote SQA401EEJ-T1_GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
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SQA401EEJ-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQA401EEJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.68 A, 0.113 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 13.6W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SQA401EEJ-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQA401EEJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.68 A, 0.113 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 13.6W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SQA401EEJ-T1_GE3 |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQA401EEJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.68 A, 0.113 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 13.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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| SQA401EEJ-T1_GE3 |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQA401EEJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.68 A, 0.113 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
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Description: VISHAY - SQA401EEJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.68 A, 0.113 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
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Produktpalette: TrenchFET
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auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)