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SQA401EEJ-T1_GE3

SQA401EEJ-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs -20V Vds; +/-8V Vgs PowerPAK SC-70-6L
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Technische Details SQA401EEJ-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQA401EEJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.68 A, 0.093 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SQA401EEJ-T1_GE3 SQA401EEJ-T1_GE3 Hersteller : VISHAY 2611858.pdf Description: VISHAY - SQA401EEJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.68 A, 0.093 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
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SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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SQA401EEJ-T1_GE3 SQA401EEJ-T1_GE3 Hersteller : VISHAY Description: VISHAY - SQA401EEJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.68 A, 0.093 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
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Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SQA401EEJ-T1_GE3 Hersteller : VISHAY SQA401EEJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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