SQA409CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 6 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 14+ | 1.27 EUR |
| 23+ | 0.78 EUR |
| 100+ | 0.51 EUR |
| 500+ | 0.39 EUR |
| 1000+ | 0.35 EUR |
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Technische Details SQA409CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQA409CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 13.6W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm.
Weitere Produktangebote SQA409CEJW-T1_GE3 nach Preis ab 0.28 EUR bis 1.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SQA409CEJW-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 4245 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQA409CEJW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQA409CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 13.6W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm |
auf Bestellung 249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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SQA409CEJW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQA409CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 13.6W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm |
auf Bestellung 249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SQA409CEJW-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 4245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.29 EUR |
| 10+ | 0.8 EUR |
| 100+ | 0.51 EUR |
| 500+ | 0.39 EUR |
| 1000+ | 0.35 EUR |
| 6000+ | 0.28 EUR |
| SQA409CEJW-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQA409CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 13.6W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
Description: VISHAY - SQA409CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 13.6W
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Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
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| SQA409CEJW-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQA409CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
Description: VISHAY - SQA409CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
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auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)