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SQA413CEJW-T1_GE3

SQA413CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix


sqa413cejw.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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Technische Details SQA413CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote SQA413CEJW-T1_GE3 nach Preis ab 0.26 EUR bis 0.69 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SQA413CEJW-T1_GE3 SQA413CEJW-T1_GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sqa413cejw.pdf MOSFET
auf Bestellung 36142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.69 EUR
10+0.58 EUR
100+0.44 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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SQA413CEJW-T1_GE3 SQA413CEJW-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqa413cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+0.69 EUR
31+0.58 EUR
100+0.41 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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SQA413CEJW-T1_GE3 SQA413CEJW-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sqa413cejw.pdf Description: VISHAY - SQA413CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.0308 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SQA413CEJW-T1_GE3 SQA413CEJW-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sqa413cejw.pdf Description: VISHAY - SQA413CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.0308 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
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Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9000 Stücke:
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SQA413CEJW-T1_GE3 Hersteller : VISHAY sqa413cejw.pdf SQA413CEJW-T1-GE3 SMD P channel transistors
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