SQA444CEJW-T1_GE3 Vishay Semiconductors
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.06 EUR |
| 10+ | 0.71 EUR |
| 100+ | 0.55 EUR |
| 500+ | 0.44 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
| 3000+ | 0.37 EUR |
| 6000+ | 0.36 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
10-14 Tag (e)
Mindestmenge:
3 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SQA444CEJW-T1_GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SQA444CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.0318 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 13.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0318ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SQA444CEJW-T1_GE3 nach Preis ab 0.42 EUR bis 1.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQA444CEJW-T1_GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SQA444CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.0318 ohm, PowerPAK SC-70W, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
SQA444CEJW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQA444CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.0318 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 13.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0318ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| SQA444CEJW-T1_GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQA444CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.0318 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQA444CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.0318 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 199+ | 1.26 EUR |
| 291+ | 0.8 EUR |
| 378+ | 0.57 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.42 EUR |
| SQA444CEJW-T1_GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQA444CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.0318 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 13.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0318ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQA444CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.0318 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 13.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0318ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0318ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 199+ | 1.26 EUR |
| 291+ | 0.8 EUR |
| 378+ | 0.57 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.42 EUR |