Technische Details SQA448CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQA448CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote SQA448CEJW-T1_GE3 nach Preis ab 0.32 EUR bis 2.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQA448CEJW-T1-GE3 | Vishay | MOSFETs Automotive N-Channel 60 V (D-S) MOSFET |
auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
SQA448CEJW-T1_GE3 | Vishay |
 MOSFETs Automotive N-Channel 60 V (D-S) MOSFET |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
SQA448CEJW-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 5990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
SQA448CEJW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQA448CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| SQA448CEJW-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay
MOSFETs Automotive N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
MOSFETs Automotive N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.21 EUR |
| 10+ | 0.82 EUR |
| 100+ | 0.56 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
| 2500+ | 0.35 EUR |
| 10000+ | 0.32 EUR |
| SQA448CEJW-T1_GE3 |
|
Hersteller: Vishay
MOSFETs Automotive N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
MOSFETs Automotive N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.51 EUR |
| 10+ | 0.93 EUR |
| 100+ | 0.62 EUR |
| 500+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| 3000+ | 0.38 EUR |
| 6000+ | 0.33 EUR |
| SQA448CEJW-T1_GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 1.59 EUR |
| 22+ | 0.99 EUR |
| 100+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| SQA448CEJW-T1_GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQA448CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: VISHAY - SQA448CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 92+ | 2.73 EUR |
| 119+ | 1.95 EUR |
| 161+ | 1.33 EUR |
| 500+ | 1.13 EUR |
| 1500+ | 0.98 EUR |