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|---|---|
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| 500+ | 0.41 EUR |
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Technische Details SQA448CEJW-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQA448CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote SQA448CEJW-T1-GE3 nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SQA448CEJW-T1_GE3 | Hersteller : Vishay | MOSFETs Automotive N-Channel 60 V (D-S) MOSFET |
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SQA448CEJW-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQA448CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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