SQA470CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details SQA470CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQA470CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 13.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SQA470CEJW-T1_GE3 nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SQA470CEJW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 18494 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQA470CEJW-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 4139 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQA470CEJW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQA470CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 8560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQA470CEJW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQA470CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 13.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 8560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQA470CEJW-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 18494 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 1.06 EUR |
| 10+ | 0.7 EUR |
| 100+ | 0.48 EUR |
| 500+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |
| 3000+ | 0.27 EUR |
| 6000+ | 0.26 EUR |
| SQA470CEJW-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 1.13 EUR |
| 29+ | 0.74 EUR |
| 100+ | 0.51 EUR |
| 500+ | 0.39 EUR |
| 1000+ | 0.35 EUR |
| SQA470CEJW-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQA470CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQA470CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.25A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 182+ | 1.38 EUR |
| 281+ | 0.83 EUR |
| 404+ | 0.54 EUR |
| 569+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
| 5000+ | 0.25 EUR |
| SQA470CEJW-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQA470CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 13.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQA470CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 13.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 8560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 182+ | 1.38 EUR |
| 281+ | 0.83 EUR |
| 404+ | 0.54 EUR |
| 569+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
| 5000+ | 0.25 EUR |