SQD19P06-60L_GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQD19P06-60L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 46W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3 EUR |
| 115+ | 1.87 EUR |
| 500+ | 1.49 EUR |
| 1000+ | 1.37 EUR |
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Technische Details SQD19P06-60L_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQD19P06-60L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 46W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm.
Weitere Produktangebote SQD19P06-60L_GE3 nach Preis ab 1.19 EUR bis 5.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SQD19P06-60L_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V 20A 46W AEC-Q101 Qualified |
auf Bestellung 8331 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQD19P06-60L_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1429 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQD19P06-60L_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQD19P06-60L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 46W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm |
auf Bestellung 1847 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQD19P06-60L-GE3 | Siliconix |
Transistor MOSFET, P-Channel, 20 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 2.5 V VISHAY SQD19P06-60L-E3; SQD19P06-60L_GE3; SQD19P06-60L-GE3; SQD19P06-60L_GE3 TSQD19p06-60l Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 304 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SQD19P06-60L_GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V 20A 46W AEC-Q101 Qualified
MOSFETs 60V 20A 46W AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 8331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.75 EUR |
| 10+ | 2.48 EUR |
| 100+ | 1.81 EUR |
| 500+ | 1.48 EUR |
| 1000+ | 1.31 EUR |
| 2000+ | 1.27 EUR |
| 4000+ | 1.19 EUR |
| SQD19P06-60L_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.3 EUR |
| 10+ | 2.75 EUR |
| 100+ | 1.87 EUR |
| 500+ | 1.49 EUR |
| 1000+ | 1.37 EUR |
| SQD19P06-60L_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQD19P06-60L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 46W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
Description: VISHAY - SQD19P06-60L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 46W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 1847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 5.02 EUR |
| 78+ | 3 EUR |
| 115+ | 1.87 EUR |
| 500+ | 1.49 EUR |
| 1000+ | 1.37 EUR |
| SQD19P06-60L-GE3 |
Hersteller: Siliconix
Transistor MOSFET, P-Channel, 20 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 2.5 V VISHAY SQD19P06-60L-E3; SQD19P06-60L_GE3; SQD19P06-60L-GE3; SQD19P06-60L_GE3 TSQD19p06-60l
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor MOSFET, P-Channel, 20 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 2.5 V VISHAY SQD19P06-60L-E3; SQD19P06-60L_GE3; SQD19P06-60L-GE3; SQD19P06-60L_GE3 TSQD19p06-60l
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 2.53 EUR |