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SQD50N05-11L_GE3

SQD50N05-11L_GE3 Vishay / Siliconix

sqd50n05-11l.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 50V 50A 75W AEC-Q101 Qualified
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Technische Details SQD50N05-11L_GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQD50N05-11L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SQD50N05-11L_GE3 SQD50N05-11L_GE3 Hersteller : VISHAY sqd50n05-11l.pdf Description: VISHAY - SQD50N05-11L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: To Be Advised
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SQD50N05-11L_GE3 SQD50N05-11L_GE3 Hersteller : VISHAY sqd50n05-11l.pdf Description: VISHAY - SQD50N05-11L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
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SQD50N05-11L-GE3 SQD50N05-11L-GE3 Hersteller : Vishay sqd50n05-11l.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
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SQD50N05-11L-GE3 Hersteller : VISHAY SQD50N05-11L-GE3 SMD N channel transistors
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SQD50N05-11L_GE3 SQD50N05-11L_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqd50n05-11l.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 25 V
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SQD50N05-11L_GE3 SQD50N05-11L_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sqd50n05-11l.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 25 V
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SQD50N05-11L-GE3 SQD50N05-11L-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N05-11L_GE3
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