SQJ120EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5619 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
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Technische Details SQJ120EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJ120EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 202 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 202A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SQJ120EP-T1_GE3 nach Preis ab 0.71 EUR bis 2.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SQJ120EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5619 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJ120EP-T1_GE3 | Vishay |
MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 2915 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJ120EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ120EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 202 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 202A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SQJ120EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ120EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 202 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 202A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SQJ120EP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5619 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5619 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
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Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
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FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 12+ | 1.58 EUR |
| 16+ | 1.14 EUR |
| 25+ | 1.03 EUR |
| 100+ | 0.91 EUR |
| 250+ | 0.85 EUR |
| 500+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.79 EUR |
| SQJ120EP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.76 EUR |
| 10+ | 1.76 EUR |
| 100+ | 1.17 EUR |
| 500+ | 0.96 EUR |
| 1000+ | 0.87 EUR |
| 3000+ | 0.74 EUR |
| 6000+ | 0.71 EUR |
| SQJ120EP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ120EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 202 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SQJ120EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 202 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SQJ120EP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ120EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 202 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SQJ120EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 202 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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