| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.62 EUR |
| 10+ | 1.64 EUR |
| 100+ | 1.09 EUR |
| 500+ | 0.86 EUR |
| 1000+ | 0.8 EUR |
| 3000+ | 0.68 EUR |
| 6000+ | 0.64 EUR |
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Technische Details SQJ122ELP-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQJ122ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 101 A, 3250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 101A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 60W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3250µohm.
Weitere Produktangebote SQJ122ELP-T1_GE3 nach Preis ab 0.9 EUR bis 3.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SQJ122ELP-T1_GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SQJ122ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 101 A, 3250 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 101A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 60W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3250µohm |
auf Bestellung 3050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ122ELP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ122ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 101 A, 3250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 101A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 60W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3250µohm |
auf Bestellung 3050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ122ELP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ122ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 101 A, 3250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3250µohm
Description: VISHAY - SQJ122ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 101 A, 3250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 69+ | 3.62 EUR |
| 111+ | 2.11 EUR |
| 171+ | 1.26 EUR |
| 500+ | 0.98 EUR |
| 1000+ | 0.9 EUR |
| SQJ122ELP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ122ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 101 A, 3250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Description: VISHAY - SQJ122ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 101 A, 3250 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.62 EUR |
| 111+ | 2.11 EUR |
| 171+ | 1.26 EUR |
| 500+ | 0.98 EUR |
| 1000+ | 0.9 EUR |