SQJ123ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11680 pF @ 6 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 2.78 EUR |
| 10+ | 2.5 EUR |
| 100+ | 2.01 EUR |
| 500+ | 1.65 EUR |
| 1000+ | 1.37 EUR |
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Technische Details SQJ123ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJ123ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 238 A, 4000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 238A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SQJ123ELP-T1_GE3 nach Preis ab 1 EUR bis 2.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SQJ123ELP-T1_GE3 | Vishay |
MOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 2380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJ123ELP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ123ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 238 A, 4000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 238A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 17544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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SQJ123ELP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ123ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 238 A, 4000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 238A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 17544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SQJ123ELP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay
MOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 2.99 EUR |
| 10+ | 2.11 EUR |
| 100+ | 1.53 EUR |
| 500+ | 1.22 EUR |
| 1000+ | 1.16 EUR |
| 3000+ | 1 EUR |
| SQJ123ELP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ123ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 238 A, 4000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SQJ123ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 238 A, 4000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 17544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SQJ123ELP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ123ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 238 A, 4000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SQJ123ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 238 A, 4000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 17544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH