SQJ140EP-T1_GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ140EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.51 EUR |
| 131+ | 1.64 EUR |
| 500+ | 1.2 EUR |
| 1000+ | 1.11 EUR |
| 5000+ | 1.08 EUR |
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Technische Details SQJ140EP-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJ140EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 266A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 263W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SQJ140EP-T1_GE3 nach Preis ab 1.07 EUR bis 4.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SQJ140EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 62630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJ140EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ140EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2100 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 266A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 8040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ140EP-T1_GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 62630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.98 EUR |
| 10+ | 2.26 EUR |
| 100+ | 1.68 EUR |
| 500+ | 1.33 EUR |
| 1000+ | 1.21 EUR |
| 3000+ | 1.07 EUR |
| SQJ140EP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ140EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQJ140EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 8040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 57+ | 4.43 EUR |
| 93+ | 2.51 EUR |
| 131+ | 1.64 EUR |
| 500+ | 1.2 EUR |
| 1000+ | 1.11 EUR |
| 5000+ | 1.08 EUR |


