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SQJ146ELP-T1_GE3

SQJ146ELP-T1_GE3 Vishay Semiconductors

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S)
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Technische Details SQJ146ELP-T1_GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SQJ146ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 88 A, 0.0043 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 88A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 75W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SQJ146ELP-T1_GE3 SQJ146ELP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY Description: VISHAY - SQJ146ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 88 A, 0.0043 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SQJ146ELP-T1_GE3 SQJ146ELP-T1_GE3 Hersteller : VISHAY Description: VISHAY - SQJ146ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 88 A, 0.0043 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SQJ146ELP-T1_GE3 SQJ146ELP-T1_GE3 Hersteller : Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8
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