SQJ174EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 293A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6111 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
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Technische Details SQJ174EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQJ174EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 0.00235 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 293A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00235ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SQJ174EP-T1_GE3 nach Preis ab 1.55 EUR bis 5.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SQJ174EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ174EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 0.00235 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 293A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00235ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2833 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQJ174EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6111 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 293A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 5709 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJ174EP-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs PowerPAK SO-8L BWL |
auf Bestellung 2574 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQJ174EP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ174EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 0.00235 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 293A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2833 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQJ174EP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ174EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 0.00235 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 293A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00235ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQJ174EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 0.00235 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 293A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00235ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.31 EUR |
| 500+ | 1.69 EUR |
| 1000+ | 1.55 EUR |
| SQJ174EP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6111 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 293A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6111 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 293A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.58 EUR |
| 10+ | 3.06 EUR |
| 100+ | 2.13 EUR |
| 500+ | 1.71 EUR |
| 1000+ | 1.7 EUR |
| SQJ174EP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs PowerPAK SO-8L BWL
MOSFETs PowerPAK SO-8L BWL
auf Bestellung 2574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.01 EUR |
| 10+ | 3.25 EUR |
| 100+ | 2.23 EUR |
| 500+ | 1.78 EUR |
| 1000+ | 1.67 EUR |
| 3000+ | 1.58 EUR |
| SQJ174EP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ174EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 0.00235 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 293A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQJ174EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 0.00235 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 293A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 42+ | 5.97 EUR |
| 65+ | 3.62 EUR |
| 100+ | 2.31 EUR |
| 500+ | 1.69 EUR |
| 1000+ | 1.55 EUR |